343nmバンドパスフィルター

概要: 放射源のパワー密度分布を測定する装置で、特に材料加工に使用される高出力レーザー向けに設計されています。
フィルターの用途: バンドパスフィルターは、センサー（フォトダイオードまたはCCD）の前、かつ減衰段またはビーム分割段の後の光路に配置されます。
機能: 特定の343nm UV波長を、背景ノイズ、周囲光、または高調波発生時に完全には変換されなかった可能性のある残留基本波レーザー周波数（例：1030nmまたは515nm）から分離します。
結果: UVレーザーのパワー密度プロファイルを高精度かつ低ノイズで測定し、レーザーパラメータが微細加工の厳しい要件を満たしていることを確認できます。

概要: ビーム整形用に設計された光学システムで、通常はガウシアンレーザービームを「トップハット」プロファイルまたは均一な正方形プロファイルに変換し、均一なレーザーアブレーションを実現します。
フィルターの用途: フィルターは、ビーム整形モジュールの入力部、またはビーム伝送光学系の一部に使用されます。
機能: ビーム整形に使用される回折光学素子（DOEs）は、波長に大きく依存します。このフィルターは、設計波長（343nm）のみが整形光学系に入射するようにします。広帯域光や設計外の波長が入射すると、回折角が変化し、出射ビームの形状が崩れます。
結果: ワークピース上に均一性が高く、寸法精度に優れたビームスポットが形成され、製造時の不均一なアブレーション深さを防ぎます。

概要: 半導体3Dパッケージングに使用される、レーザーで剥離可能な接合材料です。polyketanilベースの剥離層でデバイスウェハーをキャリアに接合し、UVレーザーエネルギーを照射して「デボンディング」します。
フィルターの用途: レーザーデボンディングヘッドに組み込み、ビームがガラスキャリアを通過して剥離層に照射される前にビームを調整します。
機能: 剥離層に吸収されて化学結合を切断する高エネルギーの343nm光子を透過し、発熱を引き起こす赤外波長（IR）を遮断します。
結果: デリケートな半導体ウェハーを熱損傷や応力を与えずにキャリアから「低温」分離し、後工程に適した清浄な表面を残します。